长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来，他和他的同事又在半导体低维结构（超晶格、量子点、量子线等）材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科学与技术进步奖多项，与合作者一起在国际著名学术刊物发表论文180余篇；先后培养硕士、博士和博士后近百名。

王占国，男，1938年12月生。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。现任中国科学院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。1995年当选为中国科学院院士。